收藏本站
IXTK 100N25P IXTQ 100N25P
IXTT 100N25P
150
Fig. 7. Input Adm ittance
90
80
Fig. 8. Trans conductance
125
100
70
60
T J = -40oC
25oC
125oC
50
75
40
50
25
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
25
50
75
100
125
150
175
200
300
V GS - V olts
Fig. 9. Source Cur r e nt vs .
Sour ce -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Charge
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 125V
I D = 50A
I G = 10m A
100
50
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V SD - V olts
1.2
1.4
0
20
40
60 80 100 120 140 160 180 200
Q G - nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. For w ar d-Bias
Safe Ope r ating Are a
C is s
100
R DS (on) Lim it
1m s
100μs
T J = 150oC
T C = 25oC
25μs
1000
100
f = 1MH z
C os s
C rs s
10
1
DC
10m s
0
5
10
15 20 25
V DS - V olts
30
35
40
10
100
V DS - V olts
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTT110N10P MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
IXTT120N15P MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
IXTT16P60P MOSFET P-CH 600V 16A TO-268
IXTT170N10P MOSFET N-CH 100V 170A TO-268
IXTT1N100 MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268
IXTT20N50D MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
IXTT26N50P MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
IXTT26N60P MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
相关代理商/技术参数
IXTT10N100D 功能描述:MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT10N100D2 功能描述:MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT10P50 功能描述:MOSFET -10 Amps -500V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT10P60 功能描述:MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT110N10L2 功能描述:MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT110N10P 功能描述:MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT11P50 功能描述:MOSFET 11 Amps 500V 0.75 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT11P50 T/R 制造商:IXYS Corporation 功能描述: